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此封裝技術支援在260°C溫度下進行多達三次回流焊接操作，並可在結溫高達200°C的條件下實現可靠運行，同時確保出色的峰值電流能力。借助英飛凌.XT互聯技術，這些裝置在嚴苛的應用環境下，依舊可實現更優的熱性能以及更強的機械可靠性。全新1400V電壓等級為更快的開關速度提供了額外裕量，並簡化了過電壓保護措施。這有助於降低對功率降額使用的需求，同時提升整個系統的可靠性。

採用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2，其導通電阻（R DS(on)）等級涵蓋6至29毫歐（mΩ），適用於對高功率密度要求嚴苛的應用場景，例如商用、工程和農用車輛（CAVs）、電動車以及電池儲能係統。英飛凌也提供採用高爬電距離TO-247-4封裝的CoolSiC™ MOSFET 1400V系列。此產品組合的R DS(on)等級範圍為11至38mΩ，其裝置同樣適用於光電等應用場景。