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11月25日，英飛凌科技EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFET 1200V模組榮獲2025年全球電子成就獎（World Electronics Achievement Awards）年度功率半導體/驅動器獎項， 再次彰顯英飛凌在功率半導體領域的實力卓越和領先地位。

▪ 搭載了1200V SiC MOSFET M1H晶片

以高功率密度、高效率及高可靠性的獨特優勢，成為高功率應用的理想選擇，助力工業電源、再生能源及電動商用車等領域。

▪ 具備175℃過載耐溫能力

可在苛刻的高溫環境下可靠運行，且具有較高的閘極閾值電壓，以減輕寄生導通，從而避免了額外的功率損耗和系統故障，保障工業電源、電動商用車等系統在緊湊設計中實現高效可靠運行，聚焦功率密度優化與熱管理升級，助力工業系統邁向更小體積、更高能效的未來能。