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全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司推出基於成熟可靠750V CoolSiC™ G2技術平台打造的碳化矽（SiC）雙向開關（BDS）。本產品採用垂直整合雙晶片共漏極設計，採用頂部散熱Q-DPAK封裝，將兩個功率開關整合到同一裝置中，既簡化了系統設計，也實現了傳統拓撲革新。 750V CoolSiC™ BDS可提供現代電網和能源系統所需的可靠性裕量，能夠在應用的這個生命週期內實現極低的總體擁有成本。

750V CoolSiC™ BDS具備業界領先的R DS(on) × Qfr、優異的R DS(on) × QOSS，以及低Qg值，可有效降低開關損耗與導通損耗，實現超高速、高效的開關動作。在25℃條件下，典型閘門閾值電壓VGS(th)為4.5V，搭配超低Q GD/Q GS比值，可增強寄生導通抗擾性；擴展後的閘極偏壓容限可支援-11V至25V瞬態電壓，能夠提升設計裕量並增強相容性。本產品額定dv/dt可達200V/ns，可在不影響耐用性的前提下支援高頻設計。此產品系列阻值覆蓋範圍為14mΩ至66mΩ。

本產品專為高要求的電源系統而設計，提供840 V (BR)DSS，為超過500 V的母線電壓時提供充足的裕量。此外，它還具有經驗證的雪崩耐受性、100小時內高達200°C的過載耐受能力和2 µs的短路耐受時間。這些元件能夠有效保護系統，免受實際環境中電壓突波、能量脈衝、瞬態應力以及突波電流的影響，確保系統能夠長期穩定運行，並具備容錯能力。

750V CoolSiC™ BDS擴展了英飛凌‌頂部散熱‌產品家族，可適配當下要求最嚴苛、發展迅速的應用場景，支持原生液冷設計，透過拓撲層面的設計迭代，實現了全新的能源效率水平。

在汽車應用中，該產品非常適用於車載充電器（OBC）、電動車充電以及eFuse（電子保險絲）和預充電電路。與CoolSiC™ H-DPAK半軸裝置搭配使用，可協助設計平順過渡到基於SiC技術的單級車載充電器，讓設計不僅兼具高功率密度和高成本效益，而且節省空間。

在工業應用領域，它為快速迭代的各類應用場景帶來了革新：

  ▪  配備原生液冷的HVDC AI電源

  ▪  戶用太陽能與儲能係統

  ▪  醫院及現場資料中心的HVAC系統

  ▪  適用於電動垂直起降飛行器（eVTOL）的電流源逆變器（CSI）驅動

  ▪  電力及IT機架中的HVDC保護

  ▪  人形機器人集群快速充電

本產品已開始提供樣品。更多信息，請訪問：👉點擊此處。

文章來源：英飛淩官微

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