英飛凌 Infineon |推出多款創新電源解決方案，全面賦能AI資料中心提效增速

2026

02 APR

英飛凌 Infineon |推出多款創新電源解決方案，全面賦能AI資料中心提效增速

英飛凌專區

▌ 英飛凌針對800 VDC架構AI資料中心推出基於CoolGaN™的高壓IBC參考設計

英飛凌高壓中間匯流排轉換器（HV IBC）參考設計可協助客戶加速向±400 V和800 V直流（VDC）供電的AI伺服器電源架構轉型

全球電力系統與物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司推出兩款全新高壓中間匯流排轉換器（HV IBC）參考設計，協助客戶加速轉型為±400 V和800 V直流（VDC）供電的AI伺服器電源架構轉型。這些參考設計採用英飛凌的650 V CoolGaN™開關，專為追求更高機架功率、更低配電損耗、更優散熱性能的超大規模雲端服務供應商、電源架構供應商與伺服器OEM廠商所設計。

新款參考設計針對兩種不同的架構進行開發：800 VDC至50 V的設計作為下游48 V IBC模組的中間級，而800 VDC至12 V的設計則為緊湊型伺服器主機板提供直接的電壓轉換。針對客製化應用，英飛凌也提供數位控制器XDPP1188-200C，支援靈活的輸出電壓，包括48V、24V和12V。

Christian Burrer

英飛凌科技電源系統事業部副總裁

英飛凌持續走在AI供電領域的前端。我們的HV IBC參考設計憑藉著高品質的功率半導體與系統級設計專業知識，協助客戶加速邁向高壓直流資料中心架構。透過展示完整、高效的實現方案，我們協助客戶降低開發風險、提升功率密度，並實現大規模的能源效率提升。

此次推出的800 VDC或±400 V至50 V HV IBC參考設計專為下一代AI資料中心開發，滿載效率超過98%。設計採用英飛凌優化的高壓和中壓CoolGaN™開關、EiceDRIVER™閘極驅動器以及PSOC™微控制器，包含兩個3 kW 400 V至50 V轉換模組，採用輸入串聯-輸出並聯（ISOP）配置。此架構可擴展至6 kW持續功率設計（TDP），並支援在400 µs內達到10.8 kW。利用PCB整合平面變壓器，多層同步整流器，以及全載條件下的軟切換來降低電磁幹擾（EMI）。此緊湊型設計方案尺寸僅為60x 60x11 mm，實現了2.5 kW/in³優異的功率密度。

第二款參考設計是超薄HV IBC展示板，將800 VDC匯流排電壓直接轉換成12 V中間匯流排電壓。設計提供6 kW TDP，且支援在400 µs內達到10.8 kW的峰值功率。作為ISOP半橋LLC轉換器，它採用創新的矩陣變壓器設計，佔板面積為130 mm×40 mm，厚度僅8 mm。其功率密度達到2.3 kW/in³以上，並支援創新的伺服器主機板散熱方案，峰值效率可達98.2%，而滿載效率可達97.1%。為滿足這些嚴苛的規格要求，設計採用了英飛凌高效的650 V CoolGaN™和40 V OptiMOS™ 7開關，搭配EiceDRIVER™閘極驅動器和PSOC™微控制器。

這兩款HV IBC參考設計專為與英飛凌從電網到核心的各種AI伺服器供電產品組合配合使用而優化設計，包括固態變壓器和固態斷路器、高壓和中間總線轉換以及第二級DC轉換電源模組。英飛凌充分發揮矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）的優勢，大幅提高產品效率、密度與可靠性，以經過驗證的高品質半導體元件、持續的設計支援以及可擴展的產品性能為客戶提供通往下一代AI伺服器架構的明確路徑。

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▌ 英飛凌推出業界首款電流密度超2 A/mm²的TLVR四相電源模組，協助提升新一代AI運算效能

作為業界首款採用此類小巧封裝的TLVR四相電源模組，英飛凌的TDM24745T產品提供高達320 A的峰值電流能力

全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司發布搭載TLVR（跨電感穩壓器）技術的高電流密度四相電源模組，以滿足先進AI資料中心對電力需求的不斷增長。 TDM24745T是一款全新的OptiMOS™四相電源模組，專為滿足下一代AI加速器快速成長的電力需求而設計。該模組將四個功率級、TLVR電感和解耦電容整合到緊湊的9x10x5mm³封裝中，提供業界領先的電流密度，高達2 A/mm²以上。這項組合實現了卓越的瞬態性能，支援高級GPU和AI處理器所需的高電流核心供電，並適用於橫向和垂直的電力傳輸配置。

Athar Zaidi

英飛凌科技電源IC與連結系統資深副總裁暨總經理

隨著AI的工作負荷以前所未有的速度成長，對高效且超緊湊的供電需求比以往任何時候都更加迫切。借助TDM24745T，我們重新定義了高電流穩壓的可能性。透過將業界領先的電流密度與先進的TLVR技術整合到極小型的封裝中，我們幫助客戶更好地發揮運算效能、降低能耗，並加速下一代AI資料中心的部署。

隨著AI資料中心的電力需求不斷提升，電力架構也必須變得更加緊湊、靈敏和高效。 TDM24745T 透過簡化電力架構設計和提升功率密度，騰出了額外的PCB空間來容納更多運算資源，並同時提供極快的瞬態響應。 TLVR架構還能將所需的輸出電容降低多達50%，幫助系統設計人員實現更有效率、節省空間的佈局，從而直接為能源節約和降低AI伺服器平台的整體擁有成本（TCO）做出貢獻。

作為業界首款採用此類緊湊封裝的TLVR四相模組，TDM24745T提供高達320 A的峰值電流能力，特別適用於新一代AI處理器和高電流多處理器平台。結合英飛凌的數位多相控制器，該模組支援靈活、可擴展的架構，加速在快速演進的AI環境中完成系統部署。憑藉OptiMOS™-6 MOSFET技術、晶片嵌入式整合技術與專有的磁性元件技術，此模組即使在最緊湊的AI伺服器設計中仍能提供更佳的效率與熱性能，協助打造更節能的AI資料中心。

TDM24745T 電源模組已無縫整合於英飛凌端到端AI伺服器供電生態系統中，涵蓋從電網介面到核心處理器供電的所有環節。英飛凌以矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）技術的綜合優勢，提供全面、可擴展的解決方案，協助實現AI優化資料中心架構的出色效率、可靠性和功率密度。

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▌ 英飛凌推出多相降壓控制器和支援PMBus標準的負載點（PoL），進一步擴展其AI資料中心電壓調節（VR）產品組合

英飛凌推出針對多處理器AI平台和先進VR電感拓樸的3環路和4環路數位多相PWM降壓控制器

全球功率系統與物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司針對AI資料中心的DC-DC轉換電壓調節（VR）解決方案產品組合，新增兩大產品系列，涵蓋數位電壓控制器與具有遙測功能的負載點（PoL）電壓調節器產品系列。全新的數位多相PWM降壓控制器XDPE1E與支援PMBus標準的負載點（PoL）TDA49720/12/06可協助客戶在縮短設計週期、加速平台落地的同時，提升每個機架的運算效能。

新一代AI平台正在將電源架構推向新的極限：核心電源需要極高的電流密度和瞬態響應速度，而日益增加的非核心電源則需要緊湊、高效的調節方案以及精準的監控與控制。英飛凌以可擴展的產品組合應對這項端到端的挑戰，旨在簡化VR設計、提高電路板空間利用率，並幫助客戶在處理器路線圖快速發展的情況下，進行快速、可重複的部署。

▶︎ 針對可擴展AI平台靈活的數位多相控制

XDPE1E3G6A和XDPE1E496A是英飛凌專為多元處理器AI平台和先進VR電感拓撲所推出的3環路和4環路數位多相PWM降壓控制器。這兩款控制器使客戶能夠透過單一、靈活的電源設計實現算力擴展，從而減少處理器因更新換代所需的重新設計工作，並加速產品上市。產品提供高度可配置的相位分配和完全可編程的相位觸發順序，並支援多種協議，包括PMBus、AVSBus、SVID和SVI3，因此廣泛相容於主流處理器生態系統。其主動瞬態響應、快速DVID、自動相位切換與PFM模式等數位功能，有助於應對動態AI負載，而數位示波器、黑盒子記錄及完善的保護機制等內建工具，可縮短測試時間並提高系統可靠性。

▶︎ 支援PMBus標準的整合式PoL：快速、可監測的非核心電源

為滿足AI系統中日益增加的非核心電源需求，英飛凌新推出了具有支援PMBus標準的數位遙測功能的TDA49720/12/06系列全整合式PoL DC-DC降壓調節器。此系列提供6A、12A和20A三種規格及3 mm×3 mm和3 mm×3.5 mm兩種封裝，有助於大幅提升功率密度，並簡化加速卡和伺服器主機板上的佈局。 PMBus遙測功能可精確報告輸出電壓、負載電流、輸入電壓和晶片內部溫度等關鍵參數，在減少重複修改設計次數的同時支援系統最佳化和可靠性監測。其專有的谷值電流模式恆導通時間控制方案，可實現快速瞬態響應、逐週期電流限制，並支援全MLCC輸出電容設計。此系列產品支援2.7 V至16 V的輸入電壓，且可在-40 °C至150 °C範圍內運作。

這些新推出的電壓調節解決方案專為與英飛凌從電網到核心的各種AI伺服器供電產品組合配合使用而優化設計，包括固態變壓器和固態斷路器、高壓和中間總線轉換以及第二級DC轉換電源模組。英飛凌充分發揮矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）的優勢，大幅提高產品效率、密度與可靠性，以經過驗證的高品質半導體元件、持續的設計支援以及可擴展的產品性能為客戶提供通往下一代AI伺服器架構的明確路徑。