近70年來，單向功率開關（UDS）一直是所有功率電子應用（包括雙向功率變換系統）的主流裝置。數十年來，UDS技術不斷革新，基於UDS開關的設計已能夠輕鬆實現超過95%的效率。然而，高效化與高功率密度為產業的持續追求。減少闆卡上的裝置數量，是提升效率的一種較為直接的方式，這可以縮小PCB尺寸，進而提高功率密度。在需要實現雙向電壓阻斷的應用中，UDS便體現出其局限性，導致需要採用背對背（B2B）開關結構的設計方案。
正因如此，與B2B UDS方案相比，雙向功率開關（BDS）顯得極具吸引力。與傳統的B2B UD方案相比，英飛凌CoolGaN™ BDS 650 V G5在系統效率和功率密度方面實現了顯著提升。透過將兩個開關整合於同一裝置中，高壓BDS輔助工程師實現更高功率密度與效率。
CoolGaN™ BDS 650 V G5可望在多種應用中帶來革新，包括：
▪ 取代現有設計中的B2B分立式開關，例如：維也納整流器、T型變換器和HERIC拓撲結構
▪ 支援光伏微型逆變器和其他單級隔離拓撲結構中的單級DC-AC變換
本白皮書介紹了新型CoolGaN™ BDS及其結構和工作模式，並闡述了UDS和BDS在閘極驅動方面的差異，同時也探討了理想的拓樸結構和性能評估參數。
