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英飛凌CoolGaN™ MV Transistor G5區別於傳統GaN元件的最大亮點，在於其業界首創地在裝置內部整合了蕭特基二極體。

這一大膽創新，有效降低了裝置在反向導通時的能量損耗，使其在硬開關(Hard Switching) 應用中表現尤為出色。此外，CoolGaN™ MV G5採用緊湊型3 x 5 mm PQFN封裝，電壓等級高達100 V，導通電阻低至1.5 mΩ，大大提高了開關速度和系統效率。

憑藉整合化設計，CoolGaN™ MV G5不僅減少了對外部裝置的依賴，優化了系統佈局，還顯著降低了設計複雜度與整體BOM成本，有效提升了系統的可靠性和終端產品的市場競爭力。無論是資料中心、工業自動化或高效能伺服器電源，新一代CoolGaN™ MV G5都能帶來更低損耗、更高能源效率和更靈活的設計可能。

英飛凌CoolGaN™ BDS 650 V是英飛凌在全球率先推出的雙向功率開關（Bidirectional Switch）產品，將兩顆常關型650 V GaN HEMT以共源共柵結構反向單片整合於同一封裝，實現一顆元件即可控制雙向電流，徹底取代傳統「兩顆MOSFETFET對背對背」方案。透過業界首創的GaN-on-Si單晶片雙向技術，裝置在±650 V範圍內提供無體二極體、無反向恢復損耗的硬開關能力，RDS(on)低至50 mΩ，Qrr=0，閘極電荷減少70%，系統效率提升2%–3%。整合式驅動器與ESD保護單元進一步簡化閘極迴路設計，降低寄生參數，使圖騰柱PFC、微型逆變器、電池主動均衡、固態斷路器等雙向拓撲首次在功率密度>100 W/in³、開關頻率>500 kHz的條件下實現>99%峰值效率。 CoolGaN™ BDS 650 V以單晶片創新，重新定義了雙向功率轉換的能源效率與可靠性標竿。

英飛凌CoolGaN™ MV Transistor G5產品系列涵蓋多種規格，全面滿足工業、通訊和消費級應用的嚴苛需求。其中，100 V CoolGaN™ G5適合高效能工業電源、伺服器DC-DC轉換、智慧馬達控制、逆變器、充電樁等應用，為寬禁帶裝置在高頻、高能效場景中的廣泛應用鋪平了道路。其優異的反向傳導損耗管理能力，實現了系統能效與整合度的同步提升，同時相容於多種主流控制器，為方案設計者提供了空前的靈活性和便利性。

英飛凌CoolGaN™ BDS 650V，該產品率先在單晶片上實現雙向電流控制能力，可直接取代傳統雙開關結構，大幅簡化雙向能量流應用的電路設計。無論是儲能係統、V2G車網互動，還是工業UPS，這項高度整合化創新，大大優化了裝置數量、縮小了體積與系統成本，為寬禁帶半導體加速滲透廣泛應用場景提供了堅實支撐。

英飛凌始終堅持技術創新，致力於透過CoolGaN™等領先產品推動第三代半導體技術的普及與升級。未來，英飛凌將持續以創新寬禁帶電力電子元件引領產業躍遷，讓綠色能源與高能源效率解決方案惠及全球更多應用。

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