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26 FEB

英飛凌 Infineon|英飛凌XHP™ 2系列2300V CoolSiC™ 碳化矽MOSFET

英飛凌專區

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英飛凌XHP™ 2系列2300V CoolSiC™ 碳化矽MOSFET

為順應再生能源領域中1500V直流母線應用日益增長的趨勢,英飛凌推出XHP™ 2系列2300V CoolSiC™ MOSFET產品擴充。此系列產品電流規格豐富,最高可達2000A,並提供4kV或6kV的隔離電壓等級,非常適合高功率應用。結合可靠耐用的.XT擴散焊接技術,該產品在使用壽命和可靠性方面均達到同類最佳水平,為高可靠性應用提供了堅實的保障。


每款模組均可提供預塗導熱介面材料版本,以簡化組裝流程,並實現最佳熱性能。

➽ 產品型號:

▪︎  FF1000UXTR23T2M1_B5

▪︎  FF1000UXTR23T2M1P

▪︎  FF1000UXTR23T2M1

▪︎  FF1300UXTR23T2M1P

▪︎  FF1300UXTR23T2M1

▪︎  FF2000UXTR23T2M1P

▪︎  FF2000UXTR23T2M1 

▶︎ 產品特性

▪︎ CoolSiC™ MOSFET,耐壓2.3kV
▪︎ 集成體二極體
▪︎ 導通電阻低至0.95mΩ
▪︎ 低電感XHP™ 2封裝
▪︎ .XT擴散焊接技術
▪︎ 對稱的模組設計
▪︎ 高突波電流承受能力
▪︎ 短路耐受能力
▪︎ 極低的開關與導通損耗
▪︎ 最高持續工作結溫175°C
▪︎ 4kV與6kV隔離電壓
▪︎ 銅基板與鋁碳化矽複合基板可選

▶︎ 應用價值

▪︎ 卓越能效
▪︎ 超高功率密度
▪︎ 更長使用壽命
▪︎ 業界頂尖的可靠性

▶︎ 競爭優勢

▪︎ 2300V阻斷電壓,適用於更高的直流母線電壓(額定1500V,最高可達1800V)
▪︎ 具備短路穩健性
▪︎ 具備突波電流穩健性
▪︎ 材料結構允許晶片最高持續工作結溫達175°C

▶︎ 應用領域

▪︎ 再生能源(風電、光伏)

▪︎ 電池儲能係統

▪︎ 氫能

文章來源:英飛凌官微

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