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此次擴展加入的產品涵蓋多種應用，例如汽車行業的車載充電器和高低壓DCDC轉換器，以及工業應用中的伺服器和電信開關電源（SMPS）和電動車充電基礎設施等。其4 mΩ超低導通電阻可支援對靜態開關性能有特殊要求的應用，例如eFuse、高壓電池隔離開關、固態斷路器和固態繼電器等。憑藉這一領先的性能，設計人員能夠開發出更有效率、更緊湊且更可靠的系統，以滿足各類嚴苛的要求。

CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列的核心特性之一是其創新的頂部散熱Q-DPAK封裝，可提供極佳的熱性能與可靠性。此封裝專為輕鬆應對高功率應用而開發，非常適合想要突破功率密度和效率極限的設計人員。該技術還具有出色的RDS(on) x QOSS和出色的RDS(on) x Qfr，可有效降低硬開關和軟開關拓撲結構中的開關損耗，尤其是在硬開關用戶案例中具有出色的效率。

此外，CoolSiC™ MOSFET 750 V G2兼具高閾值電壓VGS（th）（25°C情況下典型值為4.5 V）和超低QGD/QGS比值，增強了其對寄生導通（PTO）的抗擾性。此系列還具有更強大的閘極驅動能力，支援的靜態閘極電壓和瞬態閘極電壓分別可達-7 V和-11 V。這種增強的耐壓性為工程師提供了更大的設計裕量，實現了與市面上其他裝置的高度相容。

現已推出CoolSiC™ MOSFET 750 V G2 Q-DPAK 4/7/20/33/40/50 mΩ和D2PAK 7/25/33/40/50/60 mΩ的樣品。

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