加入諮詢
聯繫資訊
加入諮詢
將創新帶入日常生活。
世界正面臨的最重大的環境挑戰是能源消耗和二氧化碳排放，激勵我們透過提供節能的能源解決方案來保護大自然，為社會做出貢獻。
我們擁有一支優秀的全球專家團隊，涵蓋專業知識、智慧財產權等領域，同時擁有數十年的研究經驗。我們始終秉承推動 GaN 性能極限的精神，透過為日用電子裝置開發環保的解決方案，尊重地球的自然資源，並為子孫後代創造一個更永續發展的未來，以展示我們的技術進步。
由英國劍橋大學分立出來的 Cambridge GaN Devices (簡稱 CGD)，是一家無晶圓廠半導體公司，致力於開發一系列基於 GaN 的節能功率器件，以實現更環保的電子產品。
用簡單但極具價值的解決方案解決複雜問題需要想像力、智慧、深厚的專業知識和專業技術，我們從主流方法中脫穎而出，探索創新路徑，並牢記一個目標：提供觸手可及的卓越性能。
價值觀是公司核心，也是我們如何對待客戶、同事、合作夥伴和投資人的核心。
以奮發努力的精神，我們的代名詞是：
• 創新：以突破性的功率設計和改變規則的態度推動創新，將永續產品推向市場，並開發未來技術以幫助保護環境。
• 知識：促進知識和專業技術共享，推動功率電子裝置在永續未來中的作用。
• 永續：承諾用生態相容的商業措施，在我們所做的一切中秉承永續。
• 協作：提倡合作文化，讓每個人感受到賦權、傾聽和尊重。與團隊密切合作，提供出色的解決方案。
ICeGaN® - 一種採用集成柵極技術的增強模式 (e-Mode) GaN HEMT，專為消費者、數據中心、電機驅動器和其他工業應用而設計。
CGD 可以提供真正易於使用的 ICeGaN 晶體管：一種單芯片解決方案，具有 3 V 閾值電壓、真正的 0 V 關斷和革命性的柵極概念，工作電壓可高達 20 V。
因此，ICeGaN® 可以像 MOSFET 一樣運行，而無需特殊的柵極驅動器、複雜且有損耗的工作電路或額外的鉗位元件，也沒有負電壓電源要求。
主要特性：
- 單芯片 e-Mode GaN HEMT
- ICeGaN® 柵極技術
- 集成米勒鉗位
- 電流檢測功能
- 創新的全集成 NL3 * 電路
- 底端冷卻 DFN 封裝
主要優勢：
- 單芯片 e-Mode GaN HEMT
- ICeGaN® 柵極技術
- 集成米勒鉗位
- 電流檢測功能
- (H2 系列）創新的全集成 NL3 * 電路
- 底端冷卻 DFN 封超快速開關頻率
- 高效率
- 兼容 Si/SiC MOSFET 和 IGBT 柵極驅動器
- 寬柵極驅動電壓 (9-20 V)
- 對 dv/dt 引起的直通事件具有抗擾性
- 真正的 0 V 關斷實現簡單的柵極驅動
- 出色的柵極穩健性
- 無負載和輕負載運行下的功耗創新
實際應用：
- 消費類和低功耗工業應用
主要特性：
- 單芯片 e-Mode GaN HEMT
- ICeGaN® 柵極技術
- 集成米勒鉗位
- 提供底端冷卻和雙面冷卻的熱增強型封裝
- 可濕焊盤便於進行自動光學檢測
主要優勢：
- 高效率
- 兼容 Si MOSFET、SiC 和 IGBT 柵極驅動器
- 寬柵極驅動電壓 (9-20 V)
- 對 dv/dt 引起的直通事件具有抗擾性
- 真正的 0 V 關斷功能實現簡單的柵極驅動
- 出色的柵極穩健性
- 在高功率應用中優化散熱效果
- 快速導通時間實現高工作頻率
- 輕松並聯
實際應用：
- 數據中心和電信 SMPS、工業電機驅動器、光伏逆變器、不間斷電源、儲能系統
2022.02.05 pdf 2.39MB
ICeGaN 電流感測應用說明書2024.07.24 pdf 1.07MB
ICeGaNTM DHDFN package其他相關產品
如您有興趣得產品想要了解，請填寫以下表單，我們誠摯的歡迎您的訊息
STEP
STEP
Total 0
聯繫電話
姓名、 稱謂、 公司名稱、 聯繫電話、 E - Mail 、 主旨、 驗證碼 欄位格式輸入錯誤
姓名
稱謂
公司名稱
聯繫電話
主旨
其他問題
