超低雜訊場效電晶體 (HEMT)
我們推出了超低雜訊場效電晶體 (HEMT)，其在 12GHz 和 20GHz 頻率下展現出業界領先的高增益和低雜訊性能。
我們用於 LNB 的低雜訊場效電晶體 (HEMT) 系列可直接取代瑞薩電子(Renesas Electronics)的許多微波元件。
透過引入我們自主研發的 Hallow 封裝和裝置設計技術，我們實現了比競爭對手更高的增益和更低的噪音性能。
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CDK
CDK——全球領先的高頻半導體技術。
憑藉40多年半導體製造經驗累積的先進技術和全球第一的市場份額，CDK的「日本品質」為衛星廣播和手機等日常高科技產品貢獻力量。
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CDK——日本中央電子工業株式會社 自1973年起持續進行涉及半導體產品的業務。穩定地推進化合物半導體生產，主要從事射頻半導體產品的設計、OSAT和可靠性測試。我們因悠久的歷史和卓越的品質而聞名。
作為人們富裕生活不可或缺的通訊技術的角色，CDK將透過人才培養提供技術和服務，繼續引領RF半導體的發展。
CDKMajor Products Information 主要產品介紹
低雜訊場效電晶體 (HEMT) 在 24GHz 頻率下提供低雜訊性能
用於多普勒感測器的低雜訊場效電晶體 (HEMT) 在 24GHz 頻率下提供低雜訊、高增益和高 CNR 性能。
此系列用於多普勒感測器的低雜訊場效電晶體 (HEMT) 可直接取代瑞薩電子的 EOL FET 系列。
這些場效電晶體 (FET) 可輕鬆建構 24GHz 多普勒感測器的振盪器、低雜訊放大器和驅動放大器。
RF Switch
我們已推出適用於無線區域網路應用的射頻開關 IC。我們的射頻開關 IC 可直接取代瑞薩電子的許多微波裝置。
透過引入我們自主研發的設計技術，我們的射頻開關 IC 比競爭對手具有更低的插入損耗、更高的隔離度和更高的線性度。
用於 GNSS 和 SDARS 的 GaAs 低雜訊放大器 IC
用於 GNSS（全球導航衛星系統）和 SDARS（衛星數位音訊廣播服務）的 GaAs 低雜訊放大器 IC 提供低雜訊、高增益和高輸入 1dB 壓縮性能。
此 GaAs LNA IC 系列可取代瑞薩電子的 EOL FET 系列。
我們提供各種封裝，例如 4 針、6 針、6 針無引腳和 8 針封裝，適用於汽車天線、手機和物聯網設備。
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