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我們推出了超低雜訊場效電晶體 (HEMT)，其在 12GHz 和 20GHz 頻率下展現出業界領先的高增益和低雜訊性能。

我們用於 LNB 的低雜訊場效電晶體 (HEMT) 系列可直接取代瑞薩電子的許多微波元件。

透過引入我們自主研發的 Hallow 封裝和裝置設計技術，我們實現了比競爭對手更高的增益和更低的噪音性能。

用於多普勒感測器的低雜訊場效電晶體 (HEMT) 在 24GHz 頻率下提供低雜訊、高增益和高 CNR 性能。

此系列用於多普勒感測器的低雜訊場效電晶體 (HEMT) 可直接取代瑞薩電子的 EOL FET 系列。

這些場效電晶體 (FET) 可輕鬆建構 24GHz 多普勒感測器的振盪器、低雜訊放大器和驅動放大器。

我們已推出適用於無線區域網路應用的射頻開關 IC。我們的射頻開關 IC 可直接取代瑞薩電子的許多微波裝置。

透過引入我們自主研發的設計技術，我們的射頻開關 IC 比競爭對手具有更低的插入損耗、更高的隔離度和更高的線性度。

用於 GNSS（全球導航衛星系統）和 SDARS（衛星數位音訊廣播服務）的 GaAs 低雜訊放大器 IC 提供低雜訊、高增益和高輸入 1dB 壓縮性能。

此 GaAs LNA IC 系列可取代瑞薩電子的 EOL FET 系列。

我們提供各種封裝，例如 4 針、6 針、6 針無引腳和 8 針封裝，適用於汽車天線、手機和物聯網設備。