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IGBT7從2019年問世至今，從首發的T7，到成為擁有S7，H7，T7，E7，P7等完整系列的大家族。這幾大系列之間，究竟有何差別？它們各自的適用領域又都在哪裡？今天這篇文章就帶大家一起來解析一下。

英飛凌IGBT模組型號上是標稱電流，是基於一定的殼溫計算得到的集電極直流電流，與實際IGBT開關輸出電流並不是一個概念。

系統設計原則一：IGBT的最高工作結溫不允許超過T vjmax。

系統設計原則二：IGBT最大電流取決於脈衝電流能力和反偏安全工作區，也就是IGBT關斷電流能力，一般是兩倍的標稱電流，設計中關斷電流不能超過反偏安全工作區，那麼系統設計是安全可靠的。

文章剖析了IGBT驅動電流的基本概念，透過實測案例和理論分析，揭示了在不同閘極電壓下，寄生電感如何影響IGBT的開關速度和損耗；探討了驅動設計時如何選取合適的驅動電流，以確保既滿足驅動能力要求，又避免引起開通振盪。對於從事IGBT應用及相關領域研究的工程師與技術人員來說，無疑具有重要的參考價值！

文章透過比較理想的開啟波形和實際開啟波形，詳細推導了開啟損耗的計算公式，並提出了分段近似計算的方法來處理實際波形中的非線性部分。對於導通損耗，文章指出了Vce與Ic的關聯性，並給出了利用實際測試波形和規格書中的Vce-Ic曲線進行計算的步驟。

全社會都在積極推動低碳化轉型，而低碳化的背後其實是電氣化。在新型電氣能源架構中，相較於從前，一次能源到終端用戶的能源轉換次數增加。雖然再生能源是免費的，但是這種多層級的能源轉換，每一步都會帶來一定的能耗損失，因此追求更有效率的能源轉換效率至關重要。

在碳化矽（SiC）技術的應用中，許多工程師對SiC的性能評估有誤解，尤其是關於「單位面積導通電阻（Rsp）」和「高溫漂移」的問題。作為「碳化矽何以英飛凌」的系列文章，本文將繼續為您揭開這些迷思的真相（迷思一見：碳化矽何以英飛凌？——溝槽柵技術可靠性真相），並介紹英飛凌如何透過科技創新應對這些挑戰。

碳化矽功率半導體在光電、充電、電動車等產業得到了廣泛應用，其潛力毋庸置疑。然而，從目前高功率碳化矽MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現平衡性能、穩健性、可靠性和易用性的設計。比導通電阻是衡量SiC MOSFET技術先進性的關鍵參數，但其它標準，例如可靠性，也是限制裝置表現的重要因素。對於不同的應用，導通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的裝置定義應確保設計彈性，以滿足不同的任務需求，無需大量設計工作和設計佈局變更。

驅動電路設計是功率半導體應用的困難點，涉及功率半導體的動態過程控制及裝置的保護，實踐性很強。為了方便實現可靠的驅動設計，英飛凌的驅動積體電路附帶了一些重要的功能，本系列文章將詳細說明如何正確理解和應用這些驅動器的功能。

功率半導體元件熱設計系列文章上線！本專欄匯集了14篇由英飛凌資深專業人士撰寫的功率半導體裝置熱設計系列文章，約3萬字，涵蓋熱阻、結溫、熱容等多方面知識，從熱阻基礎到瞬態熱測量，從結溫獲取到PCB設計，為你的熱設計難題提供專業、權威且實用的技術參考。

三相四線製配電具有穩定性高、適用範圍廣等優點，多應用於工商業、民用等低壓配電場景，在傳統的APF、UPS等應用裡，三相四線變換器已被大量採用，近年來，工商業側儲能正以其經濟性、電網友好性等特點蓬勃發展，其中不平衡帶電應用場景下，負載的變載變載變載能力； SiC MOSFET結合三相四橋臂變換器在此應用場景具有明顯的應用優勢。