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英飛凌的MOSFET產品聚焦在高性能、高可靠性和易用性，可實現出色的能源效率表現和高功率密度。 600V CoolMOS™ 8超結（SJ）MOSFET專為出色的效率、可靠性並節省成本而設計。能夠在600V CoolMOS™ 7與CoolMOS™ 8之間無縫切換以實現供應彈性，以及在LLC階段的易用性，是長城電源選擇該技術的主要原因之一。

英飛凌最新推出的600V CoolMOS™ 8在全球高壓超結MOSFET技術領域處於領先地位，為全球範圍內的技術水平及性價比樹立了標竿。該技術提升了整體系統性能，並進一步助力推動在充電器、適配器、光伏及儲能係統、電動車充電設備，以及不間斷電源（UPS）等領域的低碳化進程。與CFD7系列相比，CoolMOS™ 8超接面（SJ）MOSFET的閘極電荷降低了18%；與P7系列相比，閘極電荷降低了33%。閘極電荷減少意味著使MOSFET從關斷狀態（非導通）切換至導通狀態所需提供的電荷量更少，從而實現更高能效的系統性能。此外，這款MOSFET擁有市面上更快的關斷時間，且熱性能較上一代產品提升了14%至42%。 600V CoolMOS™ 8超接面（SJ）MOSFET內建快速體二極體，提供SMD-QDPAK、TOLL及ThinTOLL-8x8等封裝形式，適用於廣泛的消費性及工業應用場景。

除碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）技術外，英飛凌的功率MOSFET在性能、可靠性、品質及性價比方面樹立了行業標竿，不僅能實現一流的應用效果，還助力客戶開發兼具創新性與成本效益的解決方案，以滿足各類嚴苛需求。

600V和650V CoolMOS 8 超結（SJ）MOSFET的樣品現已開放訂購。👉點擊此處，了解更多。