英飛凌 Infineon |整合式半橋解決方案CoolGaN™ Drive HB 600 V G5

2026

06 MAR

英飛凌 Infineon |整合式半橋解決方案CoolGaN™ Drive HB 600 V G5

英飛凌專區

全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司推出CoolGaN™ Drive HB 600 V G5產品系列，進一步擴大了其CoolGaN™產品組合。

英飛凌CoolGaN™ Drive HB 600 V G5產品系列透過整合式半橋解決方案，進一步提升氮化鎵的易用性

四款新產品IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M和IGI60L5050B1M均採用半橋配置並在其中集成了兩個600V氮化鎵（GaN）開關，均採用半橋配置並在其中集成了兩個600V氮化鎵（GaN）開關，具有高低功率的功率。透過將許多關鍵功能整合到經過最佳化的封裝中，該系列減少了外部元件數量、緩解了快速開關型GaN元件常見的PCB佈局難題，並幫助設計師縮短了開發週期，同時實現了GaN技術的核心優勢：更高的開關頻率、更低的開關與導通損耗，以及更高的功率密度。

Johannes Schoiswohl

英飛凌科技氮化鎵業務線負責人

GaN正在變革電力轉換領域。英飛凌的使命是透過可擴展且易於使用的解決方案，協助客戶充分實現這項變革。這次新推出的整合式解決方案集高速GaN效能、高整合度和可靠性於一身，可協助設計師加快開發流程、縮小系統體積，並提升效率，突破緊湊型電力電子產品的極限。

此整合式半橋解決方案是針對低功耗馬達驅動系統和開關模式電源而設計，可在空間有限的設計中實現更小的磁性元件與被動元件，更高的全工況效率及動態性能。該裝置專為高速精密系統而設計，可實現超快開關，傳播延遲僅為98ns，且失配極小，在支援高效高頻運轉的同時保持可預測的時序表現。為簡化系統集成，此解決方案提供相容標準邏輯電平的PWM輸入，僅需單一12V閘極驅動供電。同時，快速UVLO恢復功能可協助確保啟動及電源瞬態事件中的穩定性。為獲得出色的散熱性能，該產品採用6×8mm² TFLGA-27裸露焊盤封裝，可在眾多應用場景中實現高效散熱並支援無散熱片設計。

這些新的解決方案將成熟的CoolGaN™元件技術、系統級整合能力，以及深厚的功率轉換專業知識結合起來，進一步鞏固了英飛凌在GaN市場的領先地位，使客戶能夠更加從容地採用GaN技術，並在工業電子和消費電子平台上實現高效設計的規模化應用。