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憑藉4mΩ和7mΩ的超低導通電阻，MOSFET在靜態開關應用中擁有出色的表現，並成為eFuse、高壓電池關斷開關、固態斷路器和固態繼電器等應用的理想選擇。英飛凌創新的Q-DPAK頂部散熱式封裝專為提供領先的熱性能和可靠性設計，R DS(on) 值低至4mΩ，實現業界最佳規格。

該技術還具有領先的R DS(on ) x Q OSS和更佳的R DS(on) x Q fr，可減少硬開關和軟開關拓撲結構中的開關損耗，在硬開關應用場景中效率尤為出色。由於閘極電荷減少，此技術可實現更快的開關速度並降低閘極驅動損耗，提高了在高頻率應用中的效率。

此外，CoolSiC™ MOSFET 750 V G2在25°C時具有高電壓閾值（V GS(th),typ為4.5 V）和超低Q GD /Q GS 比，進一步提高了對寄生導通（PTO）的抗擾性。此技術也支援閘極驅動能力擴展，可承受最高-7 V的靜態閘極電壓及最高-11 V的瞬態閘極電壓。這種更高的電壓耐受性為工程師提供了更大的設計餘裕，保證了與市場上其他產品更高的兼容性。

CoolSiC™ 750 V G2具有出色的開關性能、極佳的易用性和優異的可靠性，並且完全符合AEC Q101車規級部件標準和JEDEC工業級部件標準。該技術透過實現更高效、緊湊和經濟的設計，滿足了日益增長的市場需求，展現了英飛凌在安全關鍵型汽車應用可靠性和耐用性上的投入。

英飛凌的CoolSiC™ MOSFET 750 V G2 Q-DPAK 4/7/16/25/60mΩ樣品現已開放訂購。

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