隨著英偉達GPU迭代加速，其功耗持續攀升，加之AI運算節點高密度部署的趨勢，AI資料中心的電力需求已達到數百兆瓦等級。目前，多家超大規模資料中心營運商已公佈了相關建設規劃。
為滿足兆瓦級供電需求，800V乃至更高電壓的直流配電系統正成為AI供電的主流選擇，而固態變壓器（SST）正式這套架構中的核心，它替代了傳統「工頻變壓器+低壓配電櫃+UPS+HVDC換流器」的變壓方案，直接將10-350V DC鏈路，將整機效率提升至98%以上，佔地面積減少50%以上，此外，SST毫秒級的動態響應能力，完美解決了大型GPU集群負載劇烈波動所引起的電力供應與電網穩定性問題，而碳化矽裝置憑藉其高耐壓特性，突破了傳統矽元件在高壓高壓元件上的性能變頸（SST）設計的關鍵變頸元件。
AIDC區別於傳統資料中心的核心在於其極高的功率密度，英飛凌12 kW高功率密度、高頻伺服器電源（PSU）參考設計顯示，採用碳化矽設計可實現PSU 113 W/in³的超高功率密度，是業界標準（如OCP ORv3規範的48 W/in³的超高功率密度，是業界標準（如OCP ORv3規範的48 W/in³的超高功率密度，是業界標準（如OCP ORv3規範的48 W/in³）的兩倍以上，在230V交流輸入、50Hz電網頻率的典型工作條件下，該12kW PSU可實現高達97.8%的峰值效率，並且，在40%-100%負載範圍內，功率因數(PF) > 0.995，遠超OCP標準，能有效提升電網電能品質。
在AIDC的伺服器電源（PSU）、模組化UPS等核心元件中，Q-DPAK頂部散熱封裝正成為新一代碳化矽單管的主流選擇，英飛凌CoolSiC™ MOSFET 1200V G2系列產品採用先進的Q-DPAK頂部冷卻封裝，針對高功率密度與高溫運行場景優化設計，我們現推出IMCQ120R017M2H與IMCQ120R034M2H兩款器件免費樣品試用活動，誠摯邀請工程師、研發團隊及業界小夥伴們親身體驗！
CoolSiC™ 1200 V G2 in Q-DPAK：在提升效率的同時，實現更高效能、更緊湊的設計。
▪︎ SMD頂部散熱封裝
▪︎ 雜散電感低
▪︎ CoolSiC™ MOSFET 1200V G2技術具備最佳化的開關效能與FOM
▪︎ .XT擴散焊
▪︎ 最低R DS(on)
▪︎ 封裝材料CTI>600, CD>4.8mm
▪︎ 優異的耐濕性能
▪︎ 雪崩保護、短路保護及寄生導通PTO保護
▪︎更高功率密度
▪︎支持自動化組裝
▪︎簡化設計
▪︎優異的熱性能表現
▪︎降低系統損耗
▪︎支持950V RMS工作電壓
▪︎卓越的可靠性
▪︎降低TCO成本和BOM成本
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