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2026

16 JAN

英飛凌 Infineon |CoolGaN™助力英飛特氮化鎵LED驅動電源突破照明領域瓶頸

英飛凌專區

在全球推動低碳化的宏觀背景下，提升能源利用效率是各行各業的迫切任務。照明領域消耗了全球約15%的電力，作為照明系統的“心臟”，LED驅動電源的能源效率與可靠性直接決定整體能耗與產品壽命。產業長期面臨的挑戰在於：如何在確保高可靠性的同時，實現電源的節能化、小型化與經濟化。

▶ 如何破解？雙方協作實現1+1>2！

這項挑戰的破解，得益於第三代半導體氮化鎵（GaN）技術的成熟與應用。英飛特電子依托深厚的產業積累，成功實現了新一代GaN LED驅動電源的規模化量產。在此過程中，英飛凌CoolGaN™系列功率電晶體－特別是700V型號IGD70R200D2S，提供了至關重要的核心元件支撐。雙方協作，以優質供應鏈資源結合自主核心技術，共同突破了GaN在照明領域的產業化瓶頸，為市場樹立了高效能、輕量、可靠電源的新標竿。

任明明Kevin Ren

英飛特電子全球研發負責人

我們與英飛凌的合作，旨在以更有效率、更可靠的電源驅動技術服務全球客戶。期待透過雙方的深度協同，在照明領域持續突破，共同推動產業向更節能、更高品質的方向加速邁進。

▶ 為什麼選擇GaN？效能躍升的物理基礎

GaN作為寬禁帶半導體材料，其裝置自然具備高頻、高效的實體優勢，是推動電源實現「小型化」與「高能效」革命的關鍵。然而，將其優勢轉化為穩定可靠的產品，需要克服驅動複雜、瞬態衝擊敏感等諸多工程難題。

英飛特的技術突破，正是建立在英飛凌IGD70R200D2S這類高效能GaN元件的基礎上。此元件擁有700V高耐壓與低至毫歐級的導通電阻（RDS(on)），確保了高壓應用下的低導通損耗。其奈秒的超快開關速度（開啟延遲7ns，關閉延遲9ns），使得電源系統能夠工作在更高頻率，這是實現整體效率提升與被動元件小型化的核心前提。

▶ 從裝置到系統：讓GaN從“能用”到“好用”

英飛特透過深入的裝置理解與系統設計，將英飛凌IGD70R200D2S的卓越效能轉化為終端優勢。

目前，英飛特已在IT 0-10 P67（200W/320W）系列中規模化量產搭載該裝置的電源。

其中，前級PFC電路採用IGD70R200D2S，直接帶來了效率與功率密度的躍升。

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▶ 核心價值兌現：數據背後的客戶收益

透過與英式飛躍GaN元件的深度協同設計，英式飛特電源實現了可量化的性能飛躍：

☑ 能源效率再突破：

整機效率最高可達96%。高效率直接降低了能源損耗與散熱需求，使得終端燈具可以採用更簡潔的散熱結構，節省材料成本。

☑ 體積顯著縮小：

高頻特性允許使用較小的磁芯和電容。以IT 0-10 P67（320W）產品為例，體積較前代減少40%，重量降低30%，極大便利了安裝、運輸與燈具的工業設計。

☑ 綜合性價比提升：

系統小型化與高效散熱減少了綜合物料成本，使客戶在獲得尖端性能的同時，保持了強大的市場競爭力。

英飛凌GaN transistors IGD70R200D2S：照明昇級背後的關鍵推動力

身為英飛凌CoolGaN™ 家族的重要成員，IGD70R200D2S為照明應用提供了高度契合的核心能力：

▪︎ 700V高耐壓平台，適配主流照明電源架構

▪︎ 高效率、低損耗特性，助力整機能源效率持續突破

▪︎ 支援高頻工作的GaN架構，為電源小型化與高功率密度創造條件

這些特性，使其成為英飛特新一代LED驅動電源前級設計的理想選擇，並在實際應用中充分釋放了GaN的產業價值。

英飛凌GaN技術平台：賦能千行百業

英飛特選擇的IGD70R200D2S，源自英飛凌完備的CoolGaN™產品生態。英飛凌提供電壓覆蓋60V至700V的全系列氮化鎵晶體管，憑藉極低的開關損耗、多樣的封裝選擇（如PG-TO252-3-U03）及嚴格認證，不僅滿足照明需求，更廣泛應用於對效率、功率密度和可靠性有極致要求的數據中心、電動車、可再生電動車、可再生能源化客戶端和能動能化客戶端化、能源化和能化設備。

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