英飛凌GaN展望2026：技術創新為功率半導體領域GaN的蓬勃發展鋪路
▪︎ 氮化鎵（GaN）市場預計到2030年將達30億美元，複合年增長率達44%。
▪︎ 英飛凌的高壓氮化鎵雙向開關採用革命性的共汲極雙柵結構設計。
▪︎ 氮化鎵功率半導體正進入包括人工智慧、機器人和量子運算在內的新市場。
德國慕尼黑 – 2026年2月10日 – 氮化鎵 (GaN) 功率解決方案的日益普及推動了電力電子產業的重大變革。身為全球領先的功率半導體和物聯網解決方案供應商，英飛凌科技（法蘭克福證券交易所代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）發布了2026年度《GaN Insights》報告，深入剖析了GaN技術、其應用及未來前景。
「GaN已成為市場現實，並在各個行業中獲得了廣泛應用，」英飛凌GaN系統業務線負責人Johannes Schoiswohl表示，「英飛凌致力於快速高效地為客戶創造價值。我們採用產品到系統的一體化方法，結合領先的製造技術和豐富的GaN產品組合，能夠為客戶提供市場成功所需的解決方案。我們將努力保持英飛凌作為值得信賴的合作夥伴的地位，幫助客戶應對GaN技術的複雜性，並充分發揮其潛力
。這一快速成長主要得益於2025年開始的大規模產能爬坡，將擴大GaN在多個產業的應用，並使其滲透到新的應用領域。事實上，預計2025年至2030年間，該市場將以44%的複合年增長率（CAGR）成長 [1] [2]，2026年營收預計達到9.2億美元，較2025年成長58% [3]。
➲產品創新的進展：
預計到2026年，設計人員將發現GaN雙向開關（BDS）在太陽能逆變器和電動車車載充電器之外的新用途。英飛凌的高壓雙向GaN開關採用革命性的共汲極雙閘結構設計，並利用了成熟的閘極注入電晶體（GIT）技術。這種獨特的架構使得利用同一漂移區即可雙向阻隔電壓，與傳統的背對背結構相比，晶片尺寸顯著減少。例如，採用英飛凌的 CoolGaN™ BDS（工作頻率高達 1 MHz），太陽能微型逆變器在相同尺寸下可提供高達 40% 的功率提升，同時降低系統成本。
➲技術正在拓展到新的應用領域。
氮化鎵 (GaN) 的應用範圍正在不斷擴展，涵蓋人工智慧資料中心、機器人、電動車、再生能源以及數位醫療和量子計算等新興領域。在資料中心市場，採用新型拓撲結構的 GaN 電源實現了前所未有的高效率和高功率密度，可將功率損耗降低高達 30%，從而支援部署更有效率、更緊湊的資料中心架構。用於人形機器人的 GaN 馬達驅動器尺寸可縮小 40%，並提升精細的運動控制能力。
➲為什麼選擇英飛凌和英飛凌 GaN？
英飛凌是全球領先的功率半導體公司，以其在矽 (Si)、碳化矽 (SiC) 和 GaN 領域的創新解決方案而聞名。本公司憑藉其整合裝置製造 (IDM) 策略和業界領先的系統理解，提供尖端技術以滿足各行業不斷變化的需求。得益於 300 毫米 GaN 晶圓製造技術，英飛凌的 GaN 產品展現出卓越的性能，從而帶來許多應用優勢。例如：
☑ 新一代 CoolGaN 電晶體 650 V G5 的性能指標（導通損耗和開關損耗的乘積）比業界其他產品高出 30-40%，從而大幅提升了系統性能和設計自由度。
☑ 英飛凌創新的 CoolGaN 電晶體 MV G5 產品採用單晶片整合式蕭特基二極體，損耗降低 15%，裝置溫度降低 10% 以上，從而降低了尺寸和成本，提高了效率和可靠性。
☑ 英飛凌的全新 CoolGaN Automotive 100 V 產品鞏固了其作為全球汽車半導體領導者的地位，該產品符合 AEC-Q101 標準的嚴格要求，可滿足最新一代汽車架構設計中從 12 V 系統到 48 V 系統的應用轉變。
英飛凌擁有超過 50 種 GaN 產品，涵蓋分離式元件和高度整合解決方案，電壓範圍從 40V 到 700V，面向消費性電子、工業和汽車應用，提供廣泛功率應用的全套解決方案。
憑藉卓越的性能、效率和可靠性，GaN 技術正蓬勃發展，預計在 2026 年進一步拓展其在電力電子產業的應用。身為 GaN 技術的市場領導者，英飛凌致力於幫助客戶和合作夥伴開拓這個新領域，共同塑造未來的節能技術。
