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QDPAK封裝目前包含600V，650V，750V，1200V電壓等級的SiC MOSFET產品和部分電壓的IGBT產品。

QDPAK目前已成功註冊為JEDEC標準，封裝尺寸為15mm*21mm,高度2.3mm，如下圖：

如下圖，英飛凌針對600V以上高壓元件推出了HDSOP封裝系列(D-DPAK, TOLT, 及QDPAK) 。如下圖列出了該系列已發布的封裝型號及其關鍵參數資訊。所有封裝均具有統一的2.3mm標準本體厚度，此特性使得不同分立元件（如650V碳化矽二極體、高壓/低壓MOSFET等）可混合安裝在同一散熱板上。

設計優化了組裝流程：所有功率元件在PCB上的安裝位置到散熱板頂面的距離保持一致，既簡化了組裝工序，又無需對散熱板進行特殊結構處理。

*QDPAK封裝中22-3在22-1塑封本體上增加了一個凹槽，加大了D與S的爬電距離。

將表貼頂部散熱封裝元件單獨安裝到散熱器上相對容易，由於機械公差無需特別考慮，因此，本文檔不涉及單裝置獨立散熱器的安裝說明。在實際應用過種中，QDPAK可以支援更高的功率輸出，因為通常會有多個QDPAK或頂部散熱器件安裝在同一個散熱器上。為優化散熱性能，建議盡可能減少PCB翹曲。可透過以下方式實現：

➊   控制PCB尺寸‌－尺寸越大，翹曲越明顯。或使用硬度更高或更厚的PCB減少板子本身形變。

➋   增加分佈式機械接觸點‌，透過多點支撐有效降低PCB形變，如下圖箭頭所示，除了散熱器四個角落有螺絲加以固定之外。每個QPDAK封裝兩側都有兩個螺絲加以固定，以減少PCB的形變。

如下圖，展示了透過螺絲簡化PCB與散熱器組裝的範例。在兩個QDPAK封裝之間缺少螺絲的位置，可能出現PCB翹曲，這將導致界面導熱材料殘留厚度過大，進而增大熱接觸熱阻，導致結溫偏高。

下圖是實際溫升測試，由於裝置之間沒有使用螺絲固定，在形變最大的中間位置，QDPAK元件的溫度最高。

然而，若透過增加過多螺絲及對應PCB鑽孔來解決此問題，又會在功率佈線最關鍵區域造成導電面積損失。

所以，第三種方式是採用剛性基材‌或加裝金屬承載結構在PCB下方進行‌機械加強措施‌。如下圖：

透過PCB背面的支撐柱和連接器對功率PCB施加壓力。此設計確保了外殼上下部分具有足夠的剛度，在向封裝施加足夠壓力的同時最小化外殼變形。理想情況下，每個封裝都應單獨施加壓力。否則，缺少支撐柱的裝置（下圖Q2所示）會導致界面導熱材料殘留厚度增大，進而使熱阻升高。

而對於裝置層面，表貼產品在組裝過程中，清潔電路板可有效防止功率元件底部異物顆粒所造成的意外傾斜（如下左圖）。由於Q-DPAK的接腳與本體底面的正公差設計，即使不對電路板做特別清潔，也會大幅減少這種情況的發生機率。另外，回流焊接製程可能引發的SMD元件傾斜效應（如"立碑"現象，如下右圖）也應予以避免。