英飛凌,Infineon,CoolSiC,MOSFET,有萬科技,

專為未來資料中心、伺服器與電信設備而生，革新電源管理。

▪︎ 針對硬開關與軟開關拓樸專項最佳化

▪︎ Source Down封裝顯著強化散熱能力

▪︎ 品質因數FOM提升高達25%

驅動、電動工具、園藝設備高效功率轉換的終極方案。

▪︎ 安全工作區SOA提升高達3倍

▪︎ 跨導性能改善高達–70%

▪︎ 具備更高抗噪能力

面向BMS、12V開關電源等慢速開關應用，採用低阻設計。

▪︎ 導通損耗較OptiMOS ™ 6再降高達40%

▪︎ 專為導通性能優化

▪︎ 具備高脈衝電流能力 

▪︎ SuperSO8

▪︎ SuperSO8 雙面散熱

▪︎ PQFN 3.3×3.3

▪︎ PQFN 3.3×3.3 Source Down

▪︎ PQFN 3.3×3.3 SD 中心閘極

▪︎ PQFN 3.3×3.3 SD 中心閘極雙面散熱

▪︎ PQFN 3.3×3.3 Source Down 雙面散熱

▪︎ PQFN 2×2

OptiMOS™ 7 25V MOSFET跳脫出傳統通用型設計思路，​​產品針對高效能應用進行升級，性能針對特定應用需求進行客製化提升，適用人工智慧，開關電源，數據通信，伺服器等應用。此系列產品重點在於諸如中間匯流排轉換器（IBC）等應用，這類轉換器採用多種拓樸結構，用於48V電壓轉換以支援AI核心供電。此外，它也廣泛適用於電信設備和傳統伺服器中的開關模式電源（SMPS）應用。此產品組合分為兩大技術類別：分別採用硬開關拓樸結構和軟開關拓樸結構做設備最佳化。前者俱有出色的米勒比、FOM和R DS（ON）10；後者俱有超低的R DS（ON）45和FOM Qg。新一代產品依最佳化類型不同，其R DS（ON）和FOM較OptiMOS™ 5 25V分別最多降低20%和提升25%。

為最佳化開關量身訂製的OptiMOS™ 7 25 V，產品組合採用源極向下PQFN 3.3x3.3封裝，並提供底部散熱和雙面散熱兩種封裝版本，額定溫度可達175°C。其中心閘極佈局設計可實現靈活、優化的PCB佈局。