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将创新带入日常生活。
世界正面临的最重大的环境挑战是能源消耗和二氧化碳排放，激励我们透过提供节能的能源解决方案来保护大自然，为社会做出贡献。
我们拥有一支优秀的全球专家团队，涵盖专业知识、智慧财产权等领域，拥有数十年的研究经验。我们始终秉承推动 GaN 性能极限的精神，透过为日用电子装置开发环保的解决方案，尊重地球的自然资源，并为子孙后代创造一个更永续发展的未来。
提供轻松高能源效率的 GaN 解决方案
用简单但极具价值的解决方案解决复杂问题需要想像力、智慧、深厚的专业知识和专业技术，我们从主流方法中脱颖而出，探索创新路径，并牢记一个目标：提供触手可及的卓越性能。
在 CGD，我们对科技充满热情，并努力解决客户的设计挑战，使他们的最终产品能以先进、易于操作的产品实现最佳性能，并兑现轻松节能的承诺。
价值观是公司核心，也是我们如何对待客户、同事、合作夥伴和投资人的核心。
以奋发努力的精神，我们的代名词是：
• 创新：以突破性的功率设计和改变规则的态度推动创新，将永续产品推向市场，并开发未来技术以帮助保护环境。
• 知识：促进知识和专业技术共享，推动功率电子装置在永续未来中的作用。
• 永续：承诺用生态相容的商业措施，在我们所做的一切中秉承永续。
• 协作：提倡合作文化，让每个人感受到赋权、倾听和尊重。与团队密切合作，提供出色的解决方案。
ICeGaN® - 一种采用集成栅极技术的增强模式 (e-Mode) GaN HEMT，专为消费者、数据中心、电机驱动器和其他工业应用而设计。
CGD 可以提供真正易于使用的 ICeGaN 晶体管：一种单芯片解决方案，具有 3 V 阈值电压、真正的 0 V 关断和革命性的栅极概念，工作电压可高达 20 V。
因此，ICeGaN® 可以像 MOSFET 一样运行，而无需特殊的栅极驱动器、复杂且有损耗的工作电路或额外的钳位元件，也没有负电压电源要求。
主要特性：
主要特性：
- 單芯片 e-Mode GaN HEMT
- ICeGaN® 柵極技術
- 集成米勒鉗位
- 提供底端冷卻和雙面冷卻的熱增強型封裝
- 可濕焊盤便於進行自動光學檢測
主要優勢：
- 高效率
- 兼容 Si MOSFET、SiC 和 IGBT 柵極驅動器
- 寬柵極驅動電壓 (9-20 V)
- 對 dv/dt 引起的直通事件具有抗擾性
- 真正的 0 V 關斷功能實現簡單的柵極驅動
- 出色的柵極穩健性
- 在高功率應用中優化散熱效果
- 快速導通時間實現高工作頻率
- 輕松並聯
實際應用：
- 數據中心和電信 SMPS、工業電機驅動器、光伏逆變器、不間斷電源、儲能系統
2022.02.05 pdf 2.39MB
ICeGaN 电流感测应用说明书2024.07.24 pdf 1.07MB
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