超低杂讯场效电晶体 (HEMT)
我们推出了超低杂讯场效电晶体 (HEMT),其在 12GHz 和 20GHz 频率下展现出业界领先的高增益和低杂讯性能。
我们用于 LNB 的低杂讯场效电晶体 (HEMT) 系列可直接取代瑞萨电子(Renesas Electronics)的许多微波元件。
透过引入我们自主研发的 Hallow 封装和装置设计技术,我们实现了比竞争对手更高的增益和更低的噪音性能。
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CDK——全球领先的高频半导体技术。
凭藉40多年半导体制造经验累积的先进技术和全球第一的市场份额,CDK的「日本品质」为卫星广播和手机等日常高科技产品贡献力量。
CDK——日本中央电子工业株式会社 自1973年起持续进行涉及半导体产品的业务。稳定地推进化合物半导体生产,主要从事射频半导体产品的设计、OSAT和可靠性测试。我们因悠久的历史和卓越的品质而闻名。
作为人们富裕生活不可或缺的通讯技术的角色,CDK将透过人才培养提供技术和服务,继续引领RF半导体的发展。
我们推出了超低杂讯场效电晶体 (HEMT),其在 12GHz 和 20GHz 频率下展现出业界领先的高增益和低杂讯性能。
我们用于 LNB 的低杂讯场效电晶体 (HEMT) 系列可直接取代瑞萨电子(Renesas Electronics)的许多微波元件。
透过引入我们自主研发的 Hallow 封装和装置设计技术,我们实现了比竞争对手更高的增益和更低的噪音性能。
用于多普勒感测器的低杂讯场效电晶体 (HEMT) 在 24GHz 频率下提供低杂讯、高增益和高 CNR 性能。
此系列用于多普勒感测器的低杂讯场效电晶体 (HEMT) 可直接取代瑞萨电子的 EOL FET 系列。
这些场效电晶体 (FET) 可轻松建构 24GHz 多普勒感测器的振荡器、低杂讯放大器和驱动放大器。
我们已推出适用于无线区域网路应用的射频开关 IC。我们的射频开关 IC 可直接取代瑞萨电子的许多微波装置。
透过引入我们自主研发的设计技术,我们的射频开关 IC 比竞争对手具有更低的插入损耗、更高的隔离度和更高的线性度。
用于 GNSS(全球导航卫星系统)和 SDARS(卫星数位音讯广播服务)的 GaAs 低杂讯放大器 IC 提供低杂讯、高增益和高输入 1dB 压缩性能。
此 GaAs LNA IC 系列可取代瑞萨电子的 EOL FET 系列。
我们提供各种封装,例如 4 针、6 针、6 针无引脚和 8 针封装,适用于汽车天线、手机和物联网设备。
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